H桥由4个MOSFET组成可控制电机正反转和制动。关键问题是上下桥臂直通短路：Q1和Q2(或Q3和Q4)同时导通导致电源对地短路。解决方法是插入死区时间(200ns-2μs)确保一个MOSFET完全关断后另一个才开启。
电流检测方案：低侧串联采样电阻简单但干扰地平面；高侧检测需差动放大器；MOSFET Rds(on)无损检测但温漂大。DRV8870等集成驱动芯片内置死区控制和电流限制简化设计。PWM频率16-20kHz避免人耳可听噪声。